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High aspect ratio silicon field emitter arrays (FEAs) as miniaturized stable electron source for catheter-based radiotherapy

机译:高纵横比硅场发射器阵列(FEA)作为基于导管的放射治疗的小型稳定电子源

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摘要

This paper presents a miniaturized electron source based on high aspect ratio silicon (Si) field emitter arrays (FEAs) intended for generating x-rays in a catheter-based radiotherapy application. The fabricated Si FEAs demonstrate stable emission currents of approximately 10 μA at an acceleration voltage of 21.7 kV for more than 15 minutes under moderate vacuum requirements. The current stability was enhanced by the introduction of a field compensation frame design for the electric field distribution and a tip conditioning procedure of the Si FEAs. The experimental results are in line with the requirement of delivering relevant doses for cancer radiotherapy. 
机译:本文提出了一种基于高纵横比硅(Si)场致发射器阵列(FEA)的小型电子源,旨在在基于导管的放射治疗应用中产生X射线。所制造的Si FEA在中等真空要求下,在21.7 kV的加速电压下,在超过15分钟的时间内表现出约10μA的稳定发射电流。通过引入用于电场分布的场补偿框架设计和Si FEA的尖端调节程序,增强了电流稳定性。实验结果符合为癌症放射治疗提供相关剂量的要求。

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